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CVD（化學(xué)氣相沉積）是一種常用的材料制備技術(shù)，它可以通過(guò)在高溫下使氣體分子和表面反應(yīng)來(lái)沉積材料。

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特氣氣路面板把485站號(hào)給用戶設(shè)置好，做好保壓、氦檢，用戶拿到設(shè)備后可以直接上機(jī)使用。

模擬型和數(shù)字型的氣體質(zhì)量流量控制器主要是通過(guò)0-5V、4-20mA信號(hào)或RS485 modbus協(xié)議，來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)通信，目前在PE、CVD真空設(shè)備中使用，等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法。這種方法有很多優(yōu)點(diǎn)，比如成膜質(zhì)量好等。PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很。